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漆膜薄膜介質(zhì)耗因數(shù)測試儀

漆膜薄膜介質(zhì)耗因數(shù)測試儀

簡要描述:漆膜薄膜介質(zhì)耗因數(shù)測試儀注意事項: 1、該儀器初始的包裝材料需小心保存,安裝需由本公司的專業(yè)技術(shù)人員進行操作。2、若儀器由于任何原因必須返修,必須將其裝入原紙箱中以防運輸途中損壞。3、在開機前,操作者要首先熟悉操作方法。

更新時間:2024-07-14

產(chǎn)品型號:GDAT-A

廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

訪問量:873

產(chǎn)品詳情
品牌北廣精儀價格區(qū)間1萬-2萬
應(yīng)用領(lǐng)域化工,農(nóng)業(yè),文體,能源,建材

漆膜薄膜介質(zhì)耗因數(shù)測試儀

電性能檢測儀器:介電強度測試儀、體積表面電阻率測試儀、介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀、漏電起痕試驗儀、耐電弧試驗儀;

塑料橡膠性能檢測儀器:無轉(zhuǎn)子硫化儀、門尼粘度試驗機、熱變形維卡溫度測定儀、簡支梁沖擊試驗機、毛細管流變儀、橡膠塑料滑動摩擦試驗機

物理性能檢測儀器:氧指數(shù)測定儀、水平垂直燃燒試驗機、熔體流動速率測定儀、低溫脆性測試儀

力學(xué)性能試驗機:試驗機

北廣其他檢測海綿儀器:海綿泡沫壓陷硬度測試儀、海綿泡沫落球回彈測試儀、海綿泡沫壓縮變形試驗儀

另外我公司有:環(huán)境測試儀器、生物制藥測試儀器、動物行為測試儀、環(huán)境監(jiān)測試驗儀

漆膜薄膜介質(zhì)耗因數(shù)測試儀

在使用中,本電橋頂A,B對V點的電高不超過11V,R3橋臂各盤的電流不超過下列規(guī)定:

Rg平衡指零儀內(nèi)阻約1500 歐姆(Ω)

當(dāng)電橋在平衡時,A,B,S三點電位必然相等,從而達到自動跟蹤的目的。

導(dǎo)線之間電容.此電容承受跨接測量臂兩端的電壓這樣會引人一個通常使tans的測量精度限于

在較高的頻率下,只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電,電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場強度無關(guān)

±1.5% tgδx±0.0001

主電容調(diào)節(jié)范圍:18~220pF

屏 蔽 能很 好地起到防護高壓邊影響的作用,但是增加了屏蔽與接到測量臂接線端 M和N的各根

同時也有效的抑制了電壓波動對平衡所帶來的影響。在指零部分,采用了指針式電表指示,視覺直觀,分辨清楚,克服了以往振動式檢流計的缺點。

介損損耗tgδ

空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低。低頻電橋概述

測量范圍

當(dāng) 電橋 平 衡時,復(fù)電抗Z、和ZM之間的比值等于電壓矢量U 和U:間的比值。如果電壓矢量的比

致的,這個保護對于Ch來說是*的。

其他

0.1%數(shù)量級的誤差,當(dāng)電容cx和Cw不平衡時尤為顯著。

C4橋臂在基本量程時,與R4橋臂并聯(lián),測量數(shù)值為正損耗因數(shù)。

它在橋頂B處取一輸入電壓,通過放大后,在內(nèi)屏蔽(S)產(chǎn)生一個與B電位相等的電壓。

介損損耗tgδ

技術(shù)參數(shù):

電感測量范圍:4.5nH~7.9mH

Q值測量

Q值測量范圍:2~1023。

Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。

標稱誤差

     頻率范圍(100kHz~10MHz): 頻率范圍(10MHz~160MHz):

     固有誤差:≤5%±滿度值的2% 固有誤差:≤6%±滿度值的2%

     工作誤差:≤7%±滿度值的2% 工作誤差:≤8%±滿度值的2%

Q合格指示預(yù)置功能:      預(yù)置范圍:5~1000。

信號源頻率覆蓋范圍

     頻率范圍CH1:0.1~0.999999MHz, CH2: 1~9.99999MHz,

     CH3:10~99.9999MHz, CH1 :100~160MHz,

其他

電容量Cx

電容測量:1~205

低頻電橋

這 種 電 橋的原理比西林電橋簡單。其結(jié)構(gòu)原理見圖A.3 .

±0.5% Cx±3pF

主電容調(diào)節(jié)范圍:18~220pF

電橋在使用過程中,靈敏度直接影響電橋平穩(wěn)衡的分辨程度,為保證測量準 在下面的計算公式中,用戶可根據(jù)實際情況估算出電橋靈敏度水平,在這個水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來。

采用典型的西林電橋線路。

0.1%數(shù)量級的誤差,當(dāng)電容cx和Cw不平衡時尤為顯著。

導(dǎo)線之間電容.此電容承受跨接測量臂兩端的電壓這樣會引人一個通常使tans的測量精度限于

準確度:150pF以下±1.5pF; 150pF以上±1%

介損損耗tgδ

消耗功率:約25W;

±0.5% Cx±3pF

準確度:150pF以下±1.5pF; 150pF以上±1%

測量誤差

電容測量:1~205

Cx和C}上,使電壓分配不平衡上面給出的電橋平衡條件只是當(dāng)?shù)蛪涸Ω邏涸帘螘r才成

A.1. 2. 2 帶瓦格納(Wagner)接地電路的西林電橋圖 A. 2 示出了使電橋測量臂接線端與屏蔽電位相等的方法。這種方法是通過使用外接橋臂Z, .Z.(瓦格納接地電路),并使這兩個橋臂的中間點P接到屏蔽并接地。調(diào)節(jié)橋臂(實際為Zu)以使在Z,和Z上的電壓分別與電橋的電容臂和測量臂兩端的電壓相等顯然,這個解決方法包括兩個橋即主橋AMNB和輔橋AMPB(或ANPB)同時平衡。通過檢測器從一個橋轉(zhuǎn)換到另一個橋逐次地逼衡而終達到二者平衡用這種方法精度可以提高一個數(shù)量級,這時,實際上該精度只決定于電橋元件的精密度。必 須 指 出,只有當(dāng)電源的兩端可以對地絕緣時才使用上述特殊的解決方法。如果不可能對地絕緣,則使用更復(fù)雜的裝置(雙屏蔽電橋)

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