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1MHZ介質(zhì)損耗因數(shù)測試儀
簡要描述:1MHZ介質(zhì)損耗因數(shù)測試儀測量精度±0.1℃;精確控溫±1℃;升溫斜率:3°C /min (典型值)測量頻率:20Hz---20MHz測量精度:0.05%
更新時間:2024-07-16
產(chǎn)品型號:GDAT-A
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
訪問量:839
品牌 | 北廣精儀 | 價格區(qū)間 | 1萬-2萬 |
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產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 食品,化工,生物產(chǎn)業(yè),地礦,能源 |
1MHZ介質(zhì)損耗因數(shù)測試儀
①電橋法:將被測件接在電橋的測量臂上,根據(jù)接入前后電橋平衡時電容和電阻(或相移和衰減)的變化量可以算出ε′和tanδ,這種方法可用于10~10赫的頻率范圍,并適于測量損耗較大的電介質(zhì)。
②傳輸線法:將被測件與測量線終端的短路波導(dǎo)或同軸線相連接,通過測量接入前后駐波節(jié)點位置和駐波系數(shù)的變化量可以算出ε′和tanδ。這種方法可用于10~10赫的頻率范圍,適于測量損耗量中的電介質(zhì)。
③諧振法:將被測件接在諧振回路(或諧振腔)中,通過測量接入前后回路電容和Q值(或腔長和Q值)的變化量可以算出ε′和tanδ。這種方法可用于10~10赫的頻率范圍,適于測量損耗較小的電介質(zhì)。GCSTD-A/B
寬帶法包括階躍法和時域法。利用電介質(zhì)對階躍波(或電脈沖)的響應(yīng),即電介質(zhì)的電特性與頻域散射參數(shù)S(ω)的關(guān)系,通過時域測量和傅里葉變換求出在不同頻率下的ε′和tanδ。這種方法可用于10~10赫的頻率范圍。
GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
GB/T1693-2007 硫化橡膠 介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測定方法
ASTM D150/IEC 60250固體電絕緣材料的(恒久電介質(zhì))的交流損耗特性和介電常數(shù)的測試方法
儀器的技術(shù)指標(biāo)
1.Q值測量范圍:2~1023
2.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔;
3.電感測量范圍:自身殘余電感和測試引線電感的自動扣除功能4.5nH-100mH 分別有0.1μH、0.5μH、2.5μH、10μH、50μH、100μH、1mH、5mH、10mH九個電感組成。
4.電容直接測量范圍:1~460pF
5.主電容調(diào)節(jié)范圍: 30~500pF
6.電容準(zhǔn)確度 150pF以下±1.5pF;150pF以上±1% 7.信號源頻率覆蓋范圍100KHz-70MHz (雙頻對向搜索 確保頻率不被外界干擾)另有GDAT-C 頻率范圍200KHZ-100MHz
8、型號頻率指示誤差:1*10-6 ±1
Q值合格指示預(yù)置功能范圍:5~1000
Q值自動鎖定,無需人工搜索
9.Q表正常工作條件
a. 環(huán)境溫度:0℃~+40℃
b.相對濕度:<80%;
c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。
1MHZ介質(zhì)損耗因數(shù)測試儀介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項重要的物理性質(zhì),通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機作為儀器的控制,測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測試點自動設(shè)定,諧振點自動搜索,Q值量程自動轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測試回路的殘余電感減至低,并保留了原Q表中自動穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時更為方便,測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。
9個電感規(guī)格:介質(zhì)損耗因數(shù)測試儀
電感No | 電感量 | 準(zhǔn)確度% | Q值≥ | 分布電容約略值 | 諧振頻率范圍 MHz | 適合介電常數(shù)測試頻率 | |
GCSTD/A/AI | GCSTD-B | ||||||
1 | 0.1μH | ±0.05μH | 200 | 5pF | 20~70 | 31~103 | 50MHz |
2 | 0.5μH | ±0.05μH | 200 | 5pF | 10~37 | 14.8~46.6 | 15MHz |
3 | 2.5μH | ±5% | 200 | 5pF | 4.6~17.4 | 6.8~21.4 | 10MHz |
4 | 10μH | ±5% | 200 | 6pF | 2.3~8.6 | 3.4~10.55 | 5MHz |
5 | 50μH | ±5% | 200 | 6pF | 1~3.75 | 1.5~4.55 | 1.5MHz |
6 | 100μH | ±5% | 200 | 6pF | 0.75~2.64 | 1.06~3.20 | 1MHz |
7 | 1mH | ±5% | 150 | 8pF | 0.23~0.84 | 0.34~1.02 | 0.5MHz |
8 | 5mH | ±5% | 130 | 8pF | 0.1~0.33 | 0.148~0.39 | 0.25MHz |
9 | 10mH | ±5% | 90 | 8pF | 0.072~0.26 | 0.107~0.32 | 0.1MHz |
如果你對GDAT-A1MHZ介質(zhì)損耗因數(shù)測試儀感興趣,想了解更詳細(xì)的產(chǎn)品信息,填寫下表直接與廠家聯(lián)系: |